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碳化硅外延设备控制系统（2022年06期 v.43 41-45+51页）

‖  文章供稿：盛飞龙　钟新华　王鑫　伍三忠　戴科峰　仇礼钦
‖  字体： [大] [中] [小]

2022年06期 v.43 41-45+51页

盛飞龙　钟新华　王鑫　伍三忠　戴科峰　仇礼钦

（季华实验室，广东 佛山 528200）

摘要：碳化硅（SiC）作为第三代半导体的代表材料，其生长需要精确稳定地控制高温、低压、运动、气流等。该文提出一种基于多种类现场总线的SiC外延设备控制系统，设计了软件架构、流程、交互、控制零件等。经反复的工艺运行验证，该系统的最高测量温度达到1 750 ℃；温控精度≤1 ℃；压力控制精度≤1 mbar；外延最高生长速率≥60 um/h；厚度均匀性≤2%；掺杂浓度均匀性≤5%；平均修复时间（MTTR）≤8 h，以上指标均达到设计要求。

关键词：碳化硅；外延设备；多总线；模块化；控制系统

中图分类号：TN304.05           文献标识码：A          文章编号：1674-2605(2022)06-0007-06

DOI：10.3969/j.issn.1674-2605.2022.06.007

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